МегаПредмет

ПОЗНАВАТЕЛЬНОЕ

Сила воли ведет к действию, а позитивные действия формируют позитивное отношение


Как определить диапазон голоса - ваш вокал


Игровые автоматы с быстрым выводом


Как цель узнает о ваших желаниях прежде, чем вы начнете действовать. Как компании прогнозируют привычки и манипулируют ими


Целительная привычка


Как самому избавиться от обидчивости


Противоречивые взгляды на качества, присущие мужчинам


Тренинг уверенности в себе


Вкуснейший "Салат из свеклы с чесноком"


Натюрморт и его изобразительные возможности


Применение, как принимать мумие? Мумие для волос, лица, при переломах, при кровотечении и т.д.


Как научиться брать на себя ответственность


Зачем нужны границы в отношениях с детьми?


Световозвращающие элементы на детской одежде


Как победить свой возраст? Восемь уникальных способов, которые помогут достичь долголетия


Как слышать голос Бога


Классификация ожирения по ИМТ (ВОЗ)


Глава 3. Завет мужчины с женщиной


Оси и плоскости тела человека


Оси и плоскости тела человека - Тело человека состоит из определенных топографических частей и участков, в которых расположены органы, мышцы, сосуды, нервы и т.д.


Отёска стен и прирубка косяков Отёска стен и прирубка косяков - Когда на доме не достаёт окон и дверей, красивое высокое крыльцо ещё только в воображении, приходится подниматься с улицы в дом по трапу.


Дифференциальные уравнения второго порядка (модель рынка с прогнозируемыми ценами) Дифференциальные уравнения второго порядка (модель рынка с прогнозируемыми ценами) - В простых моделях рынка спрос и предложение обычно полагают зависящими только от текущей цены на товар.

Тема: Дослідження тунельного діоду





1 Мета роботи: Вивчення принципу дії і особливостей роботи тунельного

діоду,побудова ВАХ та визначення його параметрів.

2Обладнання: лабораторний макет.

 

3Схема дослідження:

Рис.1

4 Основні теоретичні положення:

 

Тунельний діод – це напівпровідниковий діод, в якому носії переходять через p-n перехід внаслідок тунельного ефекту і в ВАХ яких є ділянка з негативним диференційним опором.

Тунельні діоди виготовляють з германію, арсеніду галію та антимоніду галію з високою концентрацією домішок (вироджені напівпровідники). Це дозволяє одержати дуже вузький p-n перехід. Найбільше використовують германієві тунельні діоди.

Принцип дії тунельного діоду –базується на тунельному ефекті.

Основна характеристика тунельних діодов - вольтамперна характеристика (ВАХ).

Робоча ділянка (АБ) – на цій ділянці p-n перехід надає змінному струму деякий від′ємний опір.

 

Рис.2

 

Оскільки тунельний струм не пов'язаний з порівняно повільними процесами дифузії і дрейфу електронів, тунельні діоди є практично безінерціонними приладами.

Тунельний діод не має властивості односторонньої провідності.

Робочим для тунельних діодів є пряме включення.

Застосовуються тунельні діоди: у перемикачах; підсилювальних і генераторних схемах НВЧ діапазону.

Тому що тунельні діоди працюють при низьких робочих температурах, вони потребують високостабільних джерел живлячих напруг.

Різновидом тунельних діодів є обернуті діоди – це тунельні діоди, у яких максимум струму на прямій гілці ВАХ або незначний або повністю відсутній. Провідність обернутих діодів у області малих напруг при зворотній напрузі вища, ніж в прямої.

Основні параметри тунельних діодов:

- піковий струм Iп – прямий струм в точці максимуму вольтамперной характеристики;

- струм западини Із – прямий струм в точці мінімуму вольтамперной характеристики;

- напруга піку Uп – пряма напруга, відповідна піковому струму;

- напруга западини Uз – пряма напруга, відповідна мінімальному струму;

- напруга розчину Uрр. – пряма напруга на другій висхідній гілці при струмі, рівному піковому;

- ємність діоду Сдсумарна ємність переходу і корпусу діода при заданій напрузі зміщення.

5 Послідовність виконання роботи:

5.1 Зняття ВАХ

Для зняття залежності І = f(U), необхідно змінювати напругу, підключену до тунельного діоду, та стежити за зміною струму (рис.1). Показники знімають при включеній в схему резисторів R′2, R′′2, R′′′2 (не менше 5 точок для кожного резистора).

Дані вимірювань занести у таблицю.

Таблиця.

R = 80 Ом R = 100 Ом R = 36 Ом
U (мВ) І (мА) U (мВ) І (мА) U (мВ) І (мА)
         

 

5.2 Побудова ВАХ

За результатами вимірювань (таблиця) побудувати графік ВАХ (на міліметровому папері).

5.3 Визначення основних параметрів тунельного діоду

За ВАХ визначити: Іп; Із; Uп; Uз; Uрр; (-Rд)сер.

(-Rд)сер = ∆U/∆I = (Uз – Uп)/ (Iз – Іп),

значення напруг та струмів, що входять у формулу, визначають за графіком ВАХ тунельного діоду.

 

6 Зміст звіту:

6.1. Тема та мета роботи;

6.2. Схема дослідження.

6.3. Обладнання.

6.4. Результати вимірювань (таблиця).

6.5. Графік ВАХ (на міліметровому папері).

6.6. Розрахунок та визначення основних параметрів тунельного діоду.

6.7. Висновки. Розшифрувати маркування дослідженого тунельного діоду.

 

7 Контрольні питання:

7.1. Принцип дії тунельного діода.

7.2. Яки матеріали використовують для виготовлення тунельного діода?

7.3. Умовне графічне зображення тунельного діода.

7.4. Як тунельний діод вмикається у схемі відносно навантаження?

7.5. Приведіть ВАХ тунельного діоду та поясніть фізичні процеси , що визначають форму характеристики на різних ділянках.

7.6. Назвіть недоліки і переваги тунельних діодів.

7.7. Основні параметри тунельного діода.

7.8. Де застосовуються тунельні діоди?

7.9. Що таке обернуті діоди?

 

8 Література:

8.1 Васильєва Л.Д., Медеведенко Б.І., Якименко Ю.І. «Напівпровідникові прилади»: Підручник . – К.: ІВЦ «Видавництво «Політехніка»», 2003. – 388 с.

8.2 Ю.П. Колонтаєвський, А.Г. Сосков, “Промислова електроніка та

мікросхемотехніка: теорія і практикум.».- К.: «Каравела», 2004. – 368 с.

8.3 В.Ю. Лавриненко, «Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд., перераб. И доп. – К.: Техника, 1984. – 424 с.

8.4 Мілих В.І., Шавьолкін О.О. Електротехніка, електроніка та мікропроцесорна техніка: Підручник. За ред.. В.І. Мілих. – К.: Каравела, 2007. – 688 с.

8.5 Конспект лекцій.

 

 

ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 4





©2015 www.megapredmet.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.