 ПОЗНАВАТЕЛЬНОЕ Сила воли ведет к действию, а позитивные действия формируют позитивное отношение Как определить диапазон голоса - ваш вокал Игровые автоматы с быстрым выводом Как самому избавиться от обидчивости Противоречивые взгляды на качества, присущие мужчинам Вкуснейший "Салат из свеклы с чесноком" Натюрморт и его изобразительные возможности Применение, как принимать мумие? Мумие для волос, лица, при переломах, при кровотечении и т.д. Как научиться брать на себя ответственность Зачем нужны границы в отношениях с детьми? Световозвращающие элементы на детской одежде Как победить свой возраст? Восемь уникальных способов, которые помогут достичь долголетия Классификация ожирения по ИМТ (ВОЗ) Глава 3. Завет мужчины с женщиной
Оси и плоскости тела человека - Тело человека состоит из определенных топографических частей и участков, в которых расположены органы, мышцы, сосуды, нервы и т.д.
| Методика выполнения работы на компьютере
1. Вызвать программу «MICROCAP». 2. Открыть файл «LR 3», на экране появится схема включения биполярного транзистора (рисунок 11), где V1 – источник напряжения база-эмиттер, V2 - источник напряжения база-коллектор, VT – биполярный транзистор 2N2906 p-n-p типа, R1 – сопротивление нагрузки, стоящее в цепи коллектора, равное 1 Ом; R2 – сопротивление в цепи базы, с помощью которого подается определенное значение тока базы на вход транзистора.
Рис. 11. Схема включения биполярного транзистора 3. Снять семейство входных характеристик биполярного транзистора Iб = f (Uбэ), при Uкэ = const. 4. Установить напряжение Uкэ = 0 ,Uбэ = 1В (значение V2 = 0 и V1 = 1, двойной щелчок по элементу). 5. Изменять ток базы Iб от 0 до 100 мкА через каждые 10 мкА (изменение Iб производить, изменяя значение сопротивления R2 в соответствии с таблицей 3.5). Определить значения напряжения Uбэ, воспользовавшись кнопками меню «Analysis» (Анализ), «Transient Analysis» (Анализ переходных процессов), «Run» (Запустить). Результаты занести в таблицу 3.5. 6. Повторить измерения для напряжения Uкэ = 5 В и Uкэ = 10 В в соответствии с таблицей 3.5.
7. Руководствуясь методикой п. 3, снять семейство входных характеристик транзистора при R1 = 1 кОм для V2 ( Ек = 5 В и Ек = 10 В). Результаты занести в таблицу 3.6, при этом необходимо подкорректировать значения R2 для получения заданных значений тока базы Iб (ток Iб изменяется от 0 до 100 мкА через каждые 10 мкА).
8. Снять семейство статических выходных характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с ОЭ, Iк = f (Uкэ), при Iб = const: установить ток базы Iб = 10 мкА; изменять напряжение Uкэ (V2) от 0 В до 1 В через 0,25 В и через 1 В от 1 В до 10 В в соответствии с таблицей 3.7. Определить ток коллектора Iк, воспользовавшись кнопками меню «Analysis» (Анализ), «Transient Analysis» (Анализ переходных процессов), «Run» (Запустить). При этом ток базы необходимо поддерживать постоянным, при необходимости корректируя R2. Результаты занести в таблицу 3.7; установить ток базы Iб = 40 мкА и повторить измерения. Результаты занести в таблицу 3.7; установить ток базы Iб = 80 мкА и повторить измерения. Результаты занести в таблицу 3.7. Таблица 3.7
По результатам измерений: а) построить семейство характеристик транзистора и уметь их объяснить. Убедиться, что входная характеристика при Rк = 1 кОм мало отличается от статических характеристик при напряжениях Uкэ > 0.5...1 В; б) по статическим характеристикам определить h-параметры транзистора для схемы включения транзистора ОЭ. Найденные значения занести в таблицу 3.8;
в) построить линию нагрузки для Rк = 1 кОм и Ек = 10 В; г) определить на линии нагрузки рабочий участок и выбрать положение рабочей точки для получения наименьших нелинейных искажений; д) определить значения постоянных токов (токов покоя) и постоянных напряжений (напряжений покоя) Uк = 0, Uбэ = 0. Определить ток Iмб и напряжение Uмк. Найденные значения занести в таблицу 3.5; е) рассчитать величину сопротивления Rб для Ек = 10 В. Содержание отчета 1. Название работы. 2. Цель работы. 3. Основные параметры исследуемого транзистора. 4. Схемы исследований. 5. Результаты исследований и выводы по работе. 6. Ответы на приведенные вопросы.
Контрольные вопросы 1. Объясните принцип работы транзистора типа р-n-р (n-р-n). 2. Каковы основные параметры транзистора? 3. Какой физический смысл имеют h-параметры? 4. Какое численное значение имеют h-параметры для схемы ОЭ? 5. Как построить линию нагрузки транзисторного усилителя ОЭ, имеющего нагрузку Rн? 6. Каковы схемы включения транзистора и их особенности? 7. Какова маркировка транзисторов? 8. Перечислите основные достоинства транзисторов в сравнении с электронными лампами? 9. Каковы основные характеристики транзисторов? 10. Объясните режимы работы транзистора. 1) Физические процессы в транзисторах. 2) Математическая модель транзистора. 3) Схемы включения транзисторов. 4) h-параметры транзисторов. 5) Основные параметры биполярных транзисторов. |
