| Уравнение Шредингера для кристалла
 
 
 
   Возможные значения энергии электрона в кристалле можно найти из решения уравнения Шредингера для стационарных состояний, которое в общем случае имеет вид: HY = EY, (1.31) где H – оператор Гамильтона для кристалла, E – полная энергия кристалла, Y - волновая функция кристалла. Волновая функция Ψ(x,t) обычно определяется из выражения для плотности вероятности нахождения частицы в точке x в момент времени t. В общем случае волновая функция является комплексной величиной и имеет следующий вид:  (1.32)
 Так как вероятность должна быть величиной действительной, то для нахождения плотности вероятности необходимо умножить Ψ(x,t) на комплексно сопряженную с ней функцию Ψ*(x,t). Комплексно-сопряженная волновая функция:  (1.33)
 Определение Квадрат амплитуды волновой функции характеризует вероятность (P) нахождения электрона в данной точке пространства, определяемой радиус-вектором  .  (1.34)
 или более точно: Квадрат модуля волновой функции, умноженный на элемент объема  есть вероятность обнаружить электрон в момент времени t в объеме  , образующий бесконечно малую окрестность точки  .   Уравнение Шредингера должно быть дополнено ограничениями, накладываемыми на волновую функцию: - волновая функция должна быть конечной (так как вероятность не может быть больше 1), однозначной (вероятность не может быть неоднозначной величиной) и непрерывной (вероятность не может изменяться скачком). - производные ¶Y/¶x, ¶Y/¶y, ¶Y/¶z должны быть непрерывны                                         | - функция |Y|2 должна быть интегрируема. Это условие в простейших случаях сводится к условию нормировки вероятности (т.к. электрон имеется, вероятность его существования где-то в пространстве - 100%-ная):  (1.40) |  Рис. 1.40. Плотность вероятности нахождения электрона в пространстве. |  Твердое тело представляет собой единую систему легких (электронов) и тяжелых (ядра) частиц. Наиболее полные сведения о свойствах такой системы, в том числе и об ее энергетическом спектре, можно получить решая уравнение Шредингера, соответствующее стационарным состояниям этой системы. Но, из-за того, что в кристалле имеет место большое число взаимодействий, уравнение Шредингера приобретает сложный вид:      (1.41)
   В уравнение (2.3) входят следующие виды энергии: 1) Кинетическая энергия электронов:  , где  -постоянная Дирака (  = h/2  ), m-масса электрона, а  - оператор Лапласа для i-го электрона; 2) Кинетическая энергия ядер:  , где  -масса ядра; 3) Потенциальная энергия попарного взаимодействия электронов между собой:  , где  -заряд электрона, здесь i ≠ j(!) 4) Потенциальная энергия попарного взаимодействия ядер между собой: 
 5) Потенциальная энергия взаимодействия электронов с ядрами:  , где  - координаты электронов и ядер соответственно; 6) Полная энергия кристалла E .  - собственная волновая функция кристалла, зависящая от координат всех электронов и атомных ядер.
 Уравнение (21) содержит 3N(Z+1) независимых переменных, где N – число атомов в кристалле, Zq0 – заряд ядра. Число атомов в 1 см3 составляет примерно 5*1022 и каждый атом содержит большое число электронов. Следовательно, волновая функция зависит от огромного числа (1024-1025) независимых переменных (в кремнии: 3N(Z+1) = 3 · 5х1022 · (14+1) = 2.25х1024 переменных). Точное решение уравнения Шредингера невозможно даже для отдельных атомов, за исключением атома водорода. Поэтому задача сводится к нахождению приближений в рамках физически оправданных упрощающих предположений. Зонная теория, лежащая в основе современной физики полупроводников, базируется на следующих основных приближениях: 
 
 (а) Адиабатическое приближение (приближение Борна - Оппенгеймера) В его основе лежит тот факт, что масса ядер много больше, чем масса электронов (даже если бы кристалл состоял из самых легких атомов – атомов водорода, то M = mp = 1836 me). В равновесном состоянии средние значения кинетической энергии тех и других частиц одного порядка. Поэтому скорости движения электронов намного превосходят скорости ядер (для кремния, скорость электронов Ve превышает скорость ядра Vя в ~ 230 раз). При каждом изменении положения ядер практически мгновенно устанавливается пространственное распределение электронов, соответствующее новому положению ядер. Это позволяет в первом приближении рассматривать движение электронов в потенциальном поле фиксированных ядер. При изучении движения ядер, напротив, следует учитывать не мгновенное положение электронов, а поле, создаваемое их средним пространственным распределением. Таким образом суть адиабатического приближения состоит в том, что движение электронов и ядер можно считать независимым, происходящим без обмена энергией между электронной и ядерной подсистемами частиц. Следствия: а) Так как электронная и ядерная подсистемы независимы, то волновую функцию Y, как следует из теории вероятности, можно представить в виде произведения электронной Ye и ядерной  волновых функций:  (1.42)
 б) Если допустить, что ядра покоятся, тогда кинетическая энергия ядер обращается в нуль. в) Энергия взаимодействия электронов и ядер Vо принимает постоянное значение. Выбором начала отсчета энергии Vо можно обратить в нуль. Подстановка (1.42) в уравнение Шредингера (1.41) позволяет разделить уравнения Шредингера для ядер и для электронов и получить уравнение для электронов в виде:  (1.43)
 где  — координаты покоящихся ядер, E,  — соответственно энергия и волновая функция электронов. (б) Валентная аппроксимация. Поскольку состояние внутренних атомных электронов мало изменяется в кристаллической решетке, то можно ограничиться рассмотрением только валентных электронов, а под  подразумевать координаты не ядер, а атомных остатков. При этом уравнение (1.43) записывают только для валентных электронов, движущихся в потенциальном поле фиксированных атомных остатков. Несмотря на проведенные упрощения, уравнение (1.43) не может быть решено в общем виде, так как по-прежнему имеем дело с многоэлектронной задачей. Чтобы свести многоэлектронную задачу к одноэлектронной, для этого сделаем ещё одно допущение. (в) Одноэлектронное приближение (метод Хартри-Фока) Его суть заключается в том, что энергию попарного взаимодействия электронов заменяют энергией взаимодействия каждого электрона с усредненным полем всех остальных электронов. Это поле получило название самосогласованного, так как оно не только определяет движение данного электрона, но и само зависит от его движения. Введение самосогласованного поля позволяет рассматривать электроны в кристалле как невзаимодействующие частицы, т.е. движущиеся независимо друг от друга. Это является основанием для представления электронов проводимости в виде идеального газа и в уравнении (1.43) двойную сумму  заменить суммой  а  -суммой  , где  — потенциальная энергия i-го электрона в поле всех остальных электронов,  — потенциальная энергия i-го электрона в поле всех ядер. После такой замены уравнение (1.43) распадается на сумму п одинаковых для всех электронов индивидуальных одноэлектронных уравнений вида  , (1.44)
 где  и Е— соответственно волновая функция и энергия электрона в кристалле. Обозначив потенциальную энергию электрона в кристалле через функцию равную  (1.45)
 уравнение (1.44) можно записать так:  ,(1.46)
 а для одномерного случая:  . (1.47)
   Таким образом, в результате обоих приближений удалось свести задачу к обычному по форме уравнению Шредингера, но с другой функцией. В изолированном атоме, как известно, потенциальная фунция имеет вид гиперболы (см. рис. 1.38 и 1.41 (а)). В кристалле, соответственно, будет чередующийся ход таких гипербол, схематично изображенный на рис. 1.41. Обратите внимание, что наличие химических связей приводит к суперпозиции потенциалов, что сопровождается уменьшением средней амплитуды потенциального рельефа (рис. 1.41 (б) и (в)) Существуют различные способы рационального выбора вида функции V(r) для решения одноэлектронной задачи. Наиболее часто для этого используются состояние электрона, находящегося в потенциальном поле всех ионов решетки, заряд которых в среднем скомпенсирован зарядом валентных электронов. 
 Рис.1.41.Схематическое изображение потенциала одного атома (а), двух атомов, связанных химической связью (б), и периодического потенциала одномерной решётки (в).   Так как в кристалле атомы (атомные остатки, ионы) расположены строго периодически, то полный потенциал кристалла V(r) должен обладать трехмерной периодичностью. В общем случае, точный вид периодического потенциала V(r) неизвестен. Однако тот факт, что V(r) является периодической функцией, период которой совпадает с периодом кристаллической решетки, то есть: V(r) = V(r+g) (1.47) где g – вектор трансляции решетки (на рис. 1.41 -g=n·a, где n – целое число), позволяет получить два фундаментальных результата: Первый.Из условия трансляционной симметрии следует, что волновая функция электрона в точке rотличается от волновой функции электрона в точке r+g некоторым множителем С.  (1.48)
 Из условия нормировки следует, что  (1.49)
 Условию (1.49) можно удовлетворить, если положить С = exp(i·k·g) (1.50) {т. к.  } Здесь k-постоянный вектор, характеризующий квантовое состояние электрона в кристалле, называется волновым вектором. Вектор трансляции g имеет размерность длины, k·g- безразмерное, следовательно  и  На основании соотношений (1.47) и (1.49), можно показать, что волновая функция электрона в кристалле имеет вид:  , (1.51)
 где  — периодическая функция,  — плоская волна, идущая в направлении вектора k. Волны, описываемые соотношением (1.51), носят название волн Блоха. Волна Блоха представляет собой плоскую волну, модулированную периодической функцией  , имеющей период решетки и зависящий от волнового вектора k. Волновой векторk задает направление распространение плоской волны. Физический смысл волнового вектора k – число длин волн, укладывающихся на отрезке 2p. Дополнительное пояснение. Выбор формы представления стационарной волновой функции электрона в кристалле в виде волны Блоха следует из периодичности кристаллической решетки, а именно, с учетом формул 1.48-1.50: 
 
 Где  функция  обладает трехмерной периодичностью кристаллической решетки т. к., если взять любой произвольный вектор трансляции кристаллической решетки q1 
 Т.е.  Таким образом: стационарная волновая функция электронов в периодическом поле кристалла зависит от волнового вектора  и имеет вид  , где  — плоская волна, бегущая в направлении  , а функция координат  - функция координат, зависящая от волнового вектора  и имеющая периодичность решетки. Второй результат является следствием неоднозначности волнового вектора k для электрона в кристалле. Чтобы показать это, рассмотрим трансляционное условие:  (1.52)
 Это условие не нарушится, если волновой вектор k заменить на вектор k+2pК, где  . (1.53)
 Где вектор К – вектор обратной решетки. Следовательно, состояния, характеризуемые волновым вектором k и k+ 2pК физически эквивалентны. То есть энергия электронов, находящихся в этих двух= состояниях одинакова. Другими словами, и волновая функция и энергия электрона в кристалле являются периодическими функциями волнового вектора k с периодом 2pК:  (1.54)
  (1.55)
 Если в k -пространстве (или в P-пространстве) построить обратную решетку, растянутую в 2p раз, то есть решетку с векторами 2pb1 , 2pb2 , 2pb3 (или  ,  ,  ) то все k -пространство можно разделить на области, в которых имеются физически эквивалентные состояния. Эти области называются зонами Бриллюэна. Многогранник минимального объема, построенный вокруг начала координат в k-пространстве, содержащей все возможные различные состояния, называют первой или основной зоной Бриллюэна. С помощью векторов обратной решетки любую точку k -пространства можно перевести в первую зону Бриллюэна. 
 Рис. 1.42. Первая зона Бриллюэна для кристалла с простой кубической (а), кубической объемно-центрированной (б) и кубической гране-центрированной (в).                                           |  | Итак, для полного описания всей совокупности состояний электрона в кристалле достаточно рассмотреть только область значений k, ограниченную первой зоной Бриллюэна. Первая зона Бриллюэна представляет собой элементарную ячейку Вигнера – Зейтца для обратной решетки, растянутой в 2p раз (рис.1.42). Для определения вида первой зоны Бриллюэна нужно построить обратную решетку с параметрами ячейки и построить в ней ячейку Вигнера-Зейтца. |                       | Рис. 1.43. Первая зона Бриллюэна полупроводника типа алмаза (кремния) |    
 
 
 
 |