ПОЗНАВАТЕЛЬНОЕ

Сила воли ведет к действию, а позитивные действия формируют позитивное отношение

Как определить диапазон голоса - ваш вокал

Игровые автоматы с быстрым выводом

Как цель узнает о ваших желаниях прежде, чем вы начнете действовать. Как компании прогнозируют привычки и манипулируют ими

Целительная привычка

Как самому избавиться от обидчивости

Противоречивые взгляды на качества, присущие мужчинам

Тренинг уверенности в себе

Вкуснейший "Салат из свеклы с чесноком"

Натюрморт и его изобразительные возможности

Применение, как принимать мумие? Мумие для волос, лица, при переломах, при кровотечении и т.д.

Как научиться брать на себя ответственность

Зачем нужны границы в отношениях с детьми?

Световозвращающие элементы на детской одежде

Как победить свой возраст? Восемь уникальных способов, которые помогут достичь долголетия

Как слышать голос Бога

Классификация ожирения по ИМТ (ВОЗ)

Глава 3. Завет мужчины с женщиной

Оси и плоскости тела человека - Тело человека состоит из определенных топографических частей и участков, в которых расположены органы, мышцы, сосуды, нервы и т.д.

Отёска стен и прирубка косяков - Когда на доме не достаёт окон и дверей, красивое высокое крыльцо ещё только в воображении, приходится подниматься с улицы в дом по трапу.

Дифференциальные уравнения второго порядка (модель рынка с прогнозируемыми ценами) - В простых моделях рынка спрос и предложение обычно полагают зависящими только от текущей цены на товар.

Фазовая диаграмма системы кремний – бор.

Эссе

по теме:«Исследование соединения Si-B».

Выполнил ст. группы МПП-06

Петров В.Е.

Москва 2016

Оглавление

1. Ведение…………………………………………………………………………………………………..3

2. Фазовая диаграмма системы кремний-бор ……………………………………………………………4

3. Физические свойства легированного бором монокристалла кремния………………………………4

4. Влияние исходного уровня легирования бором на его распределение,возникающее при термообработке в облучённом ионами бора кремнии……………………………………………………. 7

5. Влияние имплантации бора и последующих отжигов на свойства нанокристаллов кремния 9

6. Структурные нарушения имплантированных бором монокристаллов кремния…………………..12

7. Структура приповерхностных слоев кремния в процессе лазерной диффузии бор.........................13

8. Используемая литература ……………………………………………………………………………15

Введение

Бор является самым легким элементом IIIB подгруппы. По основным свойствам он в отличие от других элементов этой группы ведет себя не как металл, а как полупроводник. Электропроводность бора анизотропна и резко растет с повышением температуры. При нагреве от 293 до 1270 К электропроводность возрастает в 10⁸ раз. Ширина запрещенной зоны составляет 1,16 эВ.

Несмотря на малый ковалентный радиус атомы бора в кремнии имеют очень высокую растворимость (приблизительно 10²¹ см^-3). Поэтому бор трудно удаляется из монокристаллов кремния при выращивании и присутствует в сравнительно небольших концентрациях даже в кристаллах самой высокой очистки. . Бор акцепторная примесь в кремнии, она создает мелкий уровень равный 0,045 эВ в близи потолка валентной зоны.

рис. Мелкий акцепторный уровень бора в запрещенной зоне

кремния. Отсчет идет от потолка валентной зоны.

Наряду с другими мелкими акцепторами и донорами бор относится к хорошо изученным примесям в кремнии. Присутствие этого элемента легко обнаруживается различными оптическими и фотоэлектрическими методами или прямыми электрическими измерениями.

Вследствие вырождения валентной зоны наблюдать электронный параметрический резонанс (ЭПР) мелких акцепторов в кремнии без применения одноосного сжатия первоначально не представлялось возможным. Присутствие в образцах локальных напряжений, связанных со структурными дефектами и колебаниями решетки, приводит к расщеплению основного состояния на величину дельта Е. В кристаллах со случайным распределением внутренних напряжений присутствует широкий спектр дельта Е, что при ЭПР-измерениях вызывает сильное уширение резонансной линии. Наблюдение сигнала ЭПР в этом случае возможно при приложении к кристаллу достаточного для исключения влияния внутренних напряжений внешнего одноосного сжатия. В принципе, при устранении источников напряжений может наблюдаться ЭПР-сигнал мелких акцепторов, что стало возможным при использовании кристаллов высокого структурного совершенства.

В последнее время для контроля концентрации атомов бора и некоторых других примесей в кремнии успешно используется метод люминесценции. По сравнению с электрическими измерениями использование люминесценции для данной цели имеет бесспорные преимущества (отсутствие контактов, быстрота анализа, исключение влияния поверхностных слоев с инверсионной проводимостью). Этим методом можно контролировать концентрацию бора в кремнии в пределах 1,3*10¹¹ до 10¹⁵ см^-3.

Фазовая диаграмма системы кремний – бор.

Диаграмма состояния кремний-бор построена по совокупности литературных данных. Соединение SiB6 кристаллизуется по перитектической реакции (Ж + SiB_n=SiB₆) при температуре 1850 °С. Об­ласть гомогенности фазы SiB_n не установлена; она образуется по перитектической реакции (Ж + В = SiB_n) при температуре 2020 °С. Соединение SiB₃ образуется по перитектоидной реакции (Si + SiB₆ = SiB₃); область гомогенности не определена, однако она включает состав Si_uB₃₁. Богатая В фаза (SiB₁₄ или SiB_n) в действительности является твердым раствором Si в (В), ее состав SiB₃₆, параметры решетки а = 1,101 нм, с = 2,390 нм. Максимальная растворимость В в (Si) при эвтектичес­кой температуре составляет 3,6 % (ат.) и уменьшается с температу­рой.